RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
42
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3437
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link