RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
21.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3806
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link