RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3046
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link