RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2600
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link