RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link