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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2768
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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