RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
101
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
101
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
6.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
1382
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link