RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Comparar
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2267
2681
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link