RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
70
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
70
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
1971
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link