RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
45
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.8
6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
2,935.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
41
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
6.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
1512
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KI5 1GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link