RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
3317
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link