RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
2370
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link