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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
56
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
56
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2481
2455
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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