RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2014
2271
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link