RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
31
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
2816
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link