RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2405
2998
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link