RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs INTENSO 5641162 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
INTENSO 5641162 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO 5641162 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
36
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
2799
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
INTENSO 5641162 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link