RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
50
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
50
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
2248
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Jinyu 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link