RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
85
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
85
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
6.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
1118
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link