RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2680
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link