RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
19200
Por volta de 1.22 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
12.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
23400
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3867
2709
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link