RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Comparar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
14.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3867
3167
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link