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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3169
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
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