RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2831
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link