RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3123
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link