RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3535
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link