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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
86
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.7
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
86
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
5.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
1220
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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