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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2496
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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