RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3238
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link