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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2382
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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