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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
74
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
74
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
1616
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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