RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
62
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.3
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
5.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
1884
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link