RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
62
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
3149
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link