RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
203
Por volta de 69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
3200
Por volta de 2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
854.3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
392.8
1,843.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
62
203
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
854.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
392.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
3200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
269
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link