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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
83
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
83
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
1774
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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