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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
27
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
3167
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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