Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Razões a considerar
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

33 34

Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.1 8.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.9 5.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1682 3224

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns