RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
28
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2874
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link