RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link