RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
74
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
74
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1679
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link