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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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