RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
62
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.5
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
32
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2214
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Inmos + 256MB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M4A2133C11 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link