RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de 57% menor latência
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
65
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1668
1932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link