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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1668
2548
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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