RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
65
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link