RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
65
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link