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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
65
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
54
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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