RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
81
Por volta de 70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
81
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1634
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link