RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2492
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link