RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3303
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link